封装/外壳：PG-TO251-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：30V

Id-连续漏极电流：50A

Rds On-漏源导通电阻：5mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：1V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：30nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：56W

通道模式：Enhancement

高度：6.22mm

长度：6.73mm

系列：OptiMOS3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：2.38mm

正向跨导 - 最小值：34S

下降时间：3ns

上升时间：3ns

典型关闭延迟时间：20ns

典型接通延迟时间：5ns

Packing Type：TUBE

RDS (on) max：6.0mΩ

IDpuls max：350.0A

VDS max：30.0V

ID max：50.0A

Package：IPAK SL (TO-251 SL)

Rth：2.7 K/W

QG：11.3nC

Budgetary Price €€/1k：0.19

RDS (on) (@4.5V) max：9.0mΩ

Ptot max：56.0W

Polarity：N

VGS(th) min max：1.0 V 2.2 V

Coss：640.0 pF

Ciss：1700.0pF

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs